IXDN55N120D1參數：IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：10系列：-IGBT 類型：NPT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，55A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A電流 - 集電極截止（最大值）：3.8mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.3nF @ 25V功率 - 最大值：450W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應商器件封裝：SOT-227B
