IXDT30N120參數：IGBT 1200V 60A W/DIODE TO-268AA
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：-包裝：管件IGBT 類型：NPT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.9V @ 15V，30A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：76A功率 - 最大值：300WSwitching Energy：-輸入類型：標準Gate Charge：120nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢復時間 (trr)：-封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：TO-268
