IXFN66N50Q2參數：MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
類別：半導體模塊-FETPCNObsolescence： IXF(K,N,R,X)66N50Q211/Oct/2011標準包裝：10系列：HiPerFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：500V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：66A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：80毫歐@500mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@8mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：199nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6800pF@25V功率-最大值：735W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應商器件封裝：SOT-227B
