IXFN82N60Q3參數：MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
類別：半導體模塊-FET標準包裝：10系列：HiPerFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：66A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 41A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 8mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：275nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13500pF @ 25V功率 - 最大值：960W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應商器件封裝：SOT-227B
