IXFT12N100Q參數：MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：30系列：HiPerFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：12A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.05 歐姆 @ 6A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 4mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：90nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2900pF @ 25V功率 - 最大值：300W安裝類型：通孔封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA供應商器件封裝：TO-268
IXYSTO-2682023+1000原裝現貨質量保證
