IXGQ35N120BD1參數：IGBT 1200V 75A FRD TO-3P
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：-包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.3V @ 15V，35A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：200A功率 - 最大值：400WSwitching Energy：900µJ（開），3.8mJ（關）輸入類型：標準Gate Charge：140nCTd (on/off) A 25°C：40ns/270nsTest Condition：-反向恢復時間 (trr)：40ns封裝：TO-3P-3，SC-65-3安裝類型：通孔供應商器件封裝：TO-3P
