IXTA3N110參數：MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：50系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1100V（1.1kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4 歐姆 @ 1.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：42nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1350pF @ 25V功率 - 最大值：200W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：TO-263
