IXTP01N100D參數：MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：50系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：耗盡模式漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：110 歐姆 @ 50mA，0V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：120pF @ 25V功率 - 最大值：1.1W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220
