IXTY02N120P參數：MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：75系列：Polar™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：200mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：75 歐姆 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.7nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：104pF @ 25V功率 - 最大值：33W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應商器件封裝：TO-252，（D-Pak）
