MCH6601-TL-E參數：MOSFET P-CH DUAL 30V 200MA MCPH6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：200mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10.4 歐姆 @ 50mA，4V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.43nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7.5pF @ 10V功率 - 最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，無引線供應商器件封裝：6-MCPH
