MWI75-12A8T參數：IGBT E9PACK
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：5系列：-IGBT 類型：NPT配置：三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.6V @ 15V，75A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：125A電流 - 集電極截止（最大值）：5mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：5.5nF @ 25V功率 - 最大值：500W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：-供應商器件封裝：-
