NP33N06YDG-E1-AY參數：MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：33A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：14 毫歐 @ 16.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：78nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3900pF @ 25V功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線裸焊盤供應商器件封裝：8-HSON
