NX2301P,215參數：MOSFET P-CH 20V TO-236AB
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 1A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：380pF @ 6V功率 - 最大值：400mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：TO-236AB
