PSMN1R8-30PL,127參數：MOSFET N-CH 30V TO220AB
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：50系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.8 毫歐 @ 25A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：170nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10180pF @ 12V功率 - 最大值：270W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220AB
