RSR010N10TL參數：MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：520 毫歐 @ 1A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.5nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：140pF @ 25V功率 - 最大值：540mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-96供應商器件封裝：TSMT3
