SI3475DV-T1-E3參數：MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：950mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.61 歐姆 @ 900mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：500pF @ 50V功率 - 最大值：3.2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）供應商器件封裝：6-TSOP
