SI3483CDV-T1-E3參數：MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：34 毫歐 @ 6.1A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 15V功率 - 最大值：4.2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）供應商器件封裝：6-TSOP
