SI3493BDV-T1-GE3參數：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：27.5 毫歐 @ 7A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：43.5nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1805pF @ 10V功率 - 最大值：2.97W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）供應商器件封裝：6-TSOP
