SIRA10DP-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 30V 30A SO-8
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET?Gen IV包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：30A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：51nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2425pF @ 15V功率 - 最大值：40W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? SO-8供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8
