SIS892DN-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單特色產品： ThunderFET?標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：30A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：29毫歐@10A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：21.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：611pF@50V功率-最大值：52W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK?1212-8供應商器件封裝：PowerPAK?1212-8
