SIZ910DT-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
類別：分立半導體產品-FET - 陣列特色產品： PowerPAIR?標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2N溝道（雙）非對稱型FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：22A，32A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.8毫歐@20A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：40nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1500pF@15V功率-最大值：4.6W，5.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerWDFN供應商器件封裝：8-PowerPair?
