SSM3K35MFV(TPL3)參數：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM
類別：分立半導體產品-FET - 單產品目錄繪圖： VESMTop VESMSide標準包裝：8,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：180mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@50mA，4V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：9.5pF@3V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-723供應商器件封裝：VESM（1.2x1.2）
