SSM6P49NU,LF參數：MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 3.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.74nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：480pF @ 10V功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：6-uDFN（2x2）
