STB11N65M5參數：MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STB11N65M5ViewAllSpecifications標準包裝：1,000系列：Mdmesh™V包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：480毫歐@4.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：644nC@100V功率-最大值：85W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D²PAK
