STGD3NB60SD-1參數：IGBT N-CH 3A 600V DPAK
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：75系列：PowerMESH™包裝：管件IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：1.5V@15V，3A電流-集電極(Ic)（最大值）：6ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：25A功率-最大值：48WSwitchingEnergy：1.15mJ輸入類型：標準GateCharge：18nCTd(on/off)A25°C：125µs/3.4µsTestCondition：480V,3A,1千歐,15V反向恢復時間(trr)：1700ns封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：D-Pak配用：497-8214-ND-35WELECTRONICBALLASTFORHIDL
