STH210N75F6-2參數：MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STH210N75F6-2ViewAllSpecifications標準包裝：1,000系列：STripFET™DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：75V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：180A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.8毫歐@90A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：171nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：11800pF@25V功率-最大值：300W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：H²PAK
