STI30N65M5參數：MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STI30N65M5ViewAllSpecifications標準包裝：50系列：MDmesh™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：22A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：139毫歐@11A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：64nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2880pF@100V功率-最大值：140W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應商器件封裝：I2PAK
