SUM40N02-12P-E3參數:MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK
類別:分立半導體產品-FET - 單標準包裝:800系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):40A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 20A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1000pF @ 10V功率 - 最大值:3.75W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)