SUM60N02-3M9P-E3參數：MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：800系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：60A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.9 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5950pF @ 10V功率 - 最大值：3.75W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：TO-263（D2Pak）
