TPC8A04-H(TE12L,Q)參數：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：18A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：56nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 10V功率 - 最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
