XN0NE9200L參數：MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P
類別：分立半導體產品-FET - 單產品目錄繪圖： XN0NE9200LPINLayout XN0NE9200L標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：450毫歐@800mA，4V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.3V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：-功率-最大值：600mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-74A，SOT-753供應商器件封裝：迷你型5-G1
