ZXM62N03GTA參數：MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223
類別：分立半導體產品-FET - 單其它圖紙： SOT-223Footprint標準包裝：1,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：110毫歐@2.2A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9.6nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：380pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應商器件封裝：SOT-223
