ZXMN6A09DN8TA參數：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：4.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 8.2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24.2nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1407pF @ 40V功率 - 最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOP
