2SK596S-B參數(shù)：MOSFET J-FET N-CH 20V 1MA SPA
類別：分立半導體產(chǎn)品-JFET（結(jié)點場效應標準包裝：500系列：-包裝：散裝不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：150µA @ 5V漏源極電壓 (Vdss)：-漏極電流 (Id) - 最大值：1mAFET 類型：N 溝道電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：400mV @ 1µA不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4.1pF @ 5V電阻 - RDS（開）：-安裝類型：通孔封裝：SC-72供應商器件封裝：3-SPA功率 - 最大值：100mW
