BSO051N03MS G
PDF資料下載

BSO051N03MS G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 14A DSO-8

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標準包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：14A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.1毫歐@18A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：55nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4300pF@15V
功率-最大值：1.56W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：PG-DSO-8