BSP122,115參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：550mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.5 歐姆 @ 750mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：100pF @ 25V功率 - 最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SC-73
