BSS126 E6327參數：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標準包裝：3,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：耗盡模式漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：21mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：500歐姆@16mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.6V@8µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.1nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：28pF@25V功率-最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：PG-SOT23-3
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