DI9952T參數：MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列其它圖紙： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2標準包裝：1系列：-包裝：剪切帶(CT)FET類型：N和P溝道FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：-不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：-功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SOP
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