FQB50N06LTM參數(shù):MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝:800系列:QFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):52.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):21毫歐@26.2A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):32nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1630pF@25V功率-最大值:3.75W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D²PAK