FQP10N20C參數：MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：50系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：360毫歐@4.75A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：26nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：510pF@25V功率-最大值：72W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220
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