FQP19N20
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FQP19N20參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：50
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：19.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：150毫歐@9.7A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：40nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1600pF@25V
功率-最大值：140W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220