HAT2129H
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HAT2129H參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：7.5 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：46nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3200pF @ 10V
功率 - 最大值：20W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-100，SOT-669
供應商器件封裝：LFPAK