HTNFET-D參數(shù)：MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：HTMOS™包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：55V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：-不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 100mA，5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 100µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：4.3nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：290pF @ 28V功率 - 最大值：50W安裝類型：通孔封裝：8-CDIP 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-CDIP-EP
