IRF6216TRPBF
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IRF6216TRPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設(shè)計(jì)資源： IRF6216PBFSaberModel IRF6216PBFSpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：150V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.2A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：240毫歐@1.3A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：49nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1280pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO