IRF6601
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IRF6601參數：MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： DirectFETMOSFET4PsChecklist
標準包裝：1
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：26A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.8毫歐@26A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：45nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3440pF@15V
功率-最大值：3.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MT
供應商器件封裝：DIRECTFET?MT