IRF6602
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IRF6602參數：MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： DirectFETMOSFET4PsChecklist
標準包裝：1
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：11A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：13毫歐@11A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1420pF@10V
功率-最大值：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MQ
供應商器件封裝：DIRECTFET?MQ