IRF6603參數(shù):MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: DirectFETMOSFET4PsChecklist產(chǎn)品目錄繪圖: IRHexfetCircuit設(shè)計(jì)資源: IRF6603SaberModel IRF6603SpiceModelPCNObsolescence: (EP)Parts25/May/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):27A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):3.4毫歐@25A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):72nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):6590pF@15V功率-最大值:3.6W安裝類型:表面貼裝封裝:DirectFET?等容MT供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET?MT