IRF6643TR1PBF
PDF資料下載

IRF6643TR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
設(shè)計資源： IRF6643TR1PBFSaberModel IRF6643TR1PBFSpiceModel
標(biāo)準包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準
漏源極電壓(Vdss)：150V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：34.5毫歐@7.6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.9V@150µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：55nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2340pF@25V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MZ
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MZ