IRF6648TR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit IRHexfetCircuit設(shè)計資源： IRF6648TR1SaberModel IRF6648TR1SpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：86A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7毫歐@17A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.9V@150µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：50nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2120pF@25V功率-最大值：2.8W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容MN供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MN
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