IRF6655TR1PBF
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IRF6655TR1PBF參數：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設計資源： IRF6655TR1PBFSaberModel IRF6655TR1PBFSpiceModel
標準包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：62毫歐@5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.8V@25µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11.7nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：530pF@25V
功率-最大值：2.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容SH
供應商器件封裝：DIRECTFET?SH